中芯国际7nm工艺或第四季度问世：：性能提升20% 功耗降低57%

　　【手机频道】在芯片先进工艺技术方面，国内的中芯国际目前仍旧处于追赶的姿态。台积电、三星今年将量产5nm芯片工艺，而国内最大的晶圆代工厂中芯国际去年底才量产了14nm工艺。不过该工艺技术已经可以满足国内95%的需求了。

　　14nm及改进型的12nm工艺是中芯国际第一代FinFET工艺，他们还在研发更先进的N+1括N+2 FinFET工艺，分别相当于7nm工艺的低功耗、高性能版本。

　　根据中芯国际联席CEO梁孟松博士所示，N+1工艺和14nm相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，逻辑面积缩小了63%，SoC面积减少了55%。

　　N+1之后还会有N+2，这两种工艺在功耗上表现差不多，区别在于 性能及成本，N+2显然是面向高性能的，成本也会增加。

　　至于备受关注的EUV光刻机，梁孟松表示在当前的环境下，N+1、N+2代工艺都不会使用EUV工艺，等到设备就绪之后，N+2工艺可能会有几层光罩使用EUV，之后的工艺才会大规模转向EUV光刻工艺。

　　现在最关键的是中芯国际的7nm何时量产，最新消息称中芯国际的N+1 FinFET工艺已经有客户导入了(不过没公布客户名单)，今年Q4季度小规模生产——这个消息比之前的爆料要好一些，进度更快。

　　为了加快先进工艺产能，中芯国际今年的资本开支将达到31亿美元(该公司一年营收也不过30亿美元上下)，其中20亿美元用于中芯国际的上海12英寸晶圆厂，5亿美元用于北京12英寸晶圆厂。

（编辑：187手机网）

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